i23 1700V 900A系列IGBT模块采用经典ED封装,,,,i23芯片采用微精细沟槽栅技术,,,实现超低损耗Eon+Eoff,,,,同时也具有高短路能力,,,,以解决芯片高电流密度面临的挑战。。支持长期运行结温175°C(Tvjop),,,集成NTC温度传感器,,,,确保高温工况下的稳定运行,,,显著增加了器件的输出能力,,大幅提高系统的功率密度,,,,为风电、、工控和新能源等领域带来突破性的解决方案。。。

产品型号
SISD0900ED170i23
产品特点
i23超低损耗、、、微精细沟槽栅IGBT芯片组
加强 AI2O3绝缘陶瓷基板
低热阻铜底板
优化行业标准封装,,,显著降低内部阻抗与接线端温升
竞争优势
基于多年功率半导体研发经验优化的自研IGBT与二极管芯片组
900A大电流功率模块封装设计:铜线绑定+大面积功率端子优化,,提升载流与散热能力
单模块支持900A高电流输出,,简化系统设计,,,降低系统综合成本
跨领域高性能解决方案,,灵活匹配多元化应用场景
生产制造与质量保障体系,,,,确保业务连续性
应用领域
风力发电
工控
SVG
高压变频
高压级联储能
轨道交通
电能质量
1700V 900A i23 ED封装半桥IGBT模块,,现已量产。。。。欢迎广大客户访问嘉维光电亚太半导体公司网站 https://www.swiss-sem.com/,,,,查阅详情、、、、索取样品。。。。
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